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台積電、ASML攜手推12吋High NA EUV光罩 2031年前建試產線
半導體設備龍頭ASML與晶圓代工龍頭台積電（2330）宣布攜手推動High NA EUV光罩升級，將現行6吋光罩放大至12吋，並規畫2031年前建立試產線、2033年導入先進製程量產。新規格可望提升晶圓廠生產力、降低製造成本，也能免除現行High NA EUV曝光需以兩張6吋光罩拼接的限制。 《詳全文...》
自由時報晚 10 分鐘
台積電攜手ASML推12吋High NA EUV光罩 2033年前全面就緒
晶圓代工龍頭台積電（2330）與艾司摩爾（ASML）今（8）日宣布發起產業合作，共同推動半導體產業由現行6吋光罩轉移升級至12吋光罩，目標在2031年之前建立12吋光罩試...…
新頭殼晚 12 分鐘
台積電High NA EUV邁大步！攜ASML推12吋光罩、擬2030年導入量產
Newtalk新聞 半導體先進製程競賽持續升級。台積電（2330）與全球曝光機龍頭 ASML今（8）日宣布，雙方發起產業合作，共同推動極紫外光（EUV）微影技術從現行 6 吋光罩升級至更大的 12 吋光罩，目標 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，並於 2033 年前實現微影系統全面就緒，支援先進製程量產。
中央社晚 24 分鐘
台積電攜ASML推進12吋光罩 2031年建試產線攻先進製程
（中央社記者張建中新竹8日電）台積電今天宣布，與ASML展開合作，共同推動轉移升級至12吋光罩，將微影技術的價值發揮到極致，消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，目標於2031年之前建立12吋光罩試產線，並於2033年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
自由時報晚 15 小時
攜手艾司摩爾 台積電推12吋光罩
〔記者林薏茹／台北報導〕晶圓代工龍頭台積電（2330）與艾司摩爾（ASML）昨宣布，將共同推動半導體產業由現行6吋光罩升級至12吋光罩，目標在2031年前建立12吋光罩試產線，並於2033年前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。英特爾與三星隨後也表態，將參與艾司摩爾下一代12吋光罩技術。 台…
沒有比對到報導的媒體
聯合新聞網、公視新聞、報導者
可能沒有報導，也可能是標題用字不同而沒有被比對到。