
台積電、ASML攜手推12吋High NA EUV光罩 2031年前建試產線
半導體設備龍頭ASML與晶圓代工龍頭台積電(2330)宣布攜手推動High NA EUV光罩升級,將現行6吋光罩放大至12吋,並規畫2031年前建立試產線、2033年導入先進製程量產。新規格可望提升晶圓廠生產力、降低製造成本,也能免除現行High NA EUV曝光需以兩張6吋光罩拼接的限制。 《詳全文...》
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半導體設備龍頭ASML與晶圓代工龍頭台積電(2330)宣布攜手推動High NA EUV光罩升級,將現行6吋光罩放大至12吋,並規畫2031年前建立試產線、2033年導入先進製程量產。新規格可望提升晶圓廠生產力、降低製造成本,也能免除現行High NA EUV曝光需以兩張6吋光罩拼接的限制。 《詳全文...》
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