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中央社

韓媒:三星應輝達要求 下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米

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韓媒:三星應輝達要求 下一代HBM基礎晶粒採台積電3奈米

以下為摘要,完整報導請至原媒體

(中央社首爾18日綜合外電報導)韓國「首爾經濟日報」今天報導,三星電子將採用台積電的3奈米製程,為輝達(Nvidia)下一代客製化高頻寬記憶體(HBM)晶片製造基礎晶粒(base die)。

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