
300層NAND逼近物理極限 鉬取代鎢成關鍵材料
〔財經頻道/綜合報導〕研究機構SemiAnalysis指出,隨著3D NAND快閃記憶體堆疊突破300層,長期使用的鎢製字元線(word line)逐漸逼近物理極限,「鉬」已從製程優化選項轉變為...…
閱讀完整原文 →評論 (0)
載入評論中...

〔財經頻道/綜合報導〕研究機構SemiAnalysis指出,隨著3D NAND快閃記憶體堆疊突破300層,長期使用的鎢製字元線(word line)逐漸逼近物理極限,「鉬」已從製程優化選項轉變為...…
閱讀完整原文 →載入評論中...