
NAND 迎來關鍵材料轉型 採用鉬材勢在必行
研究機構SemiAnalysis於23日發文指出,3D快閃記憶體(NAND)堆疊層數突破300層,傳統鎢製字元線(wordline)已在三方面逼近物理極限,讓「鉬」從製程優化材料,變成必要的替代材料...
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研究機構SemiAnalysis於23日發文指出,3D快閃記憶體(NAND)堆疊層數突破300層,傳統鎢製字元線(wordline)已在三方面逼近物理極限,讓「鉬」從製程優化材料,變成必要的替代材料...
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