不只台積電！三星、英特爾跟進投入12吋光罩布局　High NA EUV生態系成形

Newtalk新聞 繼台積電（TSMC）與全球曝光機龍頭 ASML 宣布攜手推動下一代 12 吋光罩後，英特爾（Intel）、三星電子也相繼表態加入，等於全球三大先進製程業者都投入這項布局。隨著更多大廠響應，High NA EUV 的競爭也不再只是比誰先拿到設備，而是進一步延伸至光罩、材料、檢測及自動化設備等整體供應鏈。 台積電與 ASML 今（8）日宣布發起產業合作，計畫將 High NA EUV 使用的光罩從目前的 6 吋放大至 12 吋，目標在 2031 年前建立 12 吋光罩試產線，並於 2033 年前完成相關微影系統準備，為先進製程量產鋪路。並揭露把 High NA EUV 導入時程，有意自 2030 年起在先進製程量產中採用 ASML High NA 技術。隨製程節點持續微縮，尤其 AI 應用推升電晶體架構複雜度，預期未來需要用 High NA EUV 曝光的光罩層數也可能跟著增加。 High NA EUV 初期仍將使用現行 6 吋光罩，不過由於 High NA EUV 的曝光視野較小，大型晶片可能需要用倒兩張 6 吋光罩進行拼接，不僅增加製程複雜度，也影響生產效率。若未來升級至 12 吋大型光罩，可望消除相關拼接限制，並提升曝光設備生產力、降低晶片製造成本。 隨著台積電與 ASML 拋出倡議，英特爾、三星也相繼表態參與。英特爾現階段仍會以既有 6 吋光罩搭配拼接技術推進 High NA EUV，同時參與下一代大型光罩規格；三星除了加入 12 吋光罩倡議，也規劃未來將 High NA EUV 應用擴大至 DRAM 製程。 事實上，光罩從 6 吋放大至 12 吋，並非單純把尺寸「放大一倍」這麼簡單。從光罩製造、檢測、清洗，到自動化搬運、材料及 EDA 等環節，都得配合建立新的設備與規格，才能真正支援 High NA EUV 大規模量產。 換言之，隨著台積電、英特爾及三星陸續投入，High NA EUV 戰局正從曝光機本身，進一步擴大到整條半導體供應鏈。台積電與 ASML 預計 2031 年前建立 12 吋光罩試產線、並於 2033 年前完成相關微影系統準備，其他 High NA EUV 潛在採用者及供應商也已表達加入這項倡議的興趣。延伸閱讀：台積電High NA EUV邁大步！攜ASML推12吋光罩、擬2030年導入量產電子權值股狂衝！「ETF股王」0053今年來飆76%　分割投票9/16登場AI軍備競賽燒旺半導體！Q2設備出貨年增23%創高 00412A今募集搶亞洲商機台股攻47K 主動ETF沒跟著嗨！12檔加碼、9檔減碼幾乎打平台積上週遭主動ETF大調節！9檔減碼逾1600張、僅2檔加碼