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速度提升10000倍 三星、輝達聯手研發鐵電NAND

速度提升10000倍 三星、輝達聯手研發鐵電NAND

首爾經濟日報援引未具名業內人士消息報導,三星電子正與輝達合作,加速開發下一代NAND快閃記憶體晶片。 報導指出,由三星半導體研究院、輝達和喬治亞理工學院合組的聯合研究團隊,已成功開發出一種名為「物...

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